FeTRAM: ذاكرة حديثة تعمل على طاقة اقل بنسبة 99 بالمئة من ذاكرة الفلاش
في
6:03 ص
نسمع في الاونة الاخيرة كثيرا عن تقنيات حديثة لها قدرة كافية لتكون بديلا عن ذاكرات الـ RAM المستخدمة اليوم (Random Access Memory) - ذاكرة Phase Change وذاكرة STT MRAM, مثلا, تكلفتها اقل وسرعتها عالية نسبة لما سبقها من تقنيات.
في الوقت الحاضر نسمع عن منافس ذو قدرات عالية الذي سيؤدي الى ذاكرات الـ RAM للاختفاء من منصة تقنيات الحاسب الالي الحديثة - هي الذاكرة المعروفة باسم FeTRAM اختصار: Ferroelectric Transistor RAM, فيروكهربائية هي تسمية لمادة تقوم بتغيير الاستقطابية عندما تحاط بحقل كهربائي - ميزة مثالية لانتاج الحالتين "0" و "1", في التقنية الرقمية يؤخذ النظام الثنائي غالبا كأساس حين استخدام جبر الربط (حسب التمييز فوقه لنعم/لا).
علماء من جامعة بوردو (Purdue University) استغلوا هذه الميزة الملفتة للنظر وفاموا بانشاء ترانزستور مركب منه الياف او رقائق من مواد البوليمير والسيليكون الفيرو كهربائية, هذا الترانزستور يستطيع تخزين البيانات فيه بشكل شبه دائم حتى وهو منعزل تماما عن الكهرباء, يمكن ان يكون سريع اكثر وتكلفته اقل من الذاكرات المعروفة اليوم. العلماء الذين قاموا بالاكتشاف يدعون ان هذا النوع من الذاكرات تستهلك 99 % طاقة اقل من الذاكرات المعروفة بالفلاش ميموري.
تماما مثل كل خبر جديد نتناوله يوميا, ربما سيأخذ الوقت الكثير حتى تصبح هذه التقنية مستخدمة عمليا, لهذا لا انصح حاليا بازالة ذاكرات الـ DRAM الموجودة على جهازك.